片无声沉默中,盛明安率先开口:“可以向上报告,准备新机研制和新项目研发。”
下刻,实验室内猛然爆发欢呼,还有人喜极而泣,他们埋头苦干四五年!
有人在这行甚至干十年以上,还以
“数据已全部记录,根据数据计算显示,可以在原样机基础上将效率提高至少18%,套刻误差提高到2nm以下。”
“片晶圆可得芯片数量等于晶圆面积/芯片面积晶圆直径/芯片对角线长,照该公式计算们目前使用12英寸晶圆片可得到芯片数量,不过最后可用芯片数目得等到封测完毕才能知道最终晶圆良率。”
经过光刻机曝光后大块晶圆还需要封装成个完整颗粒,再进行切割,最后测试。通过测试选出性能稳定、完好、容量足芯片,剩下不合格部分就会被当成废品处理。
稳定芯片和不合格芯片对比得出数据称为晶圆良率,总良率超过90%才算可盈利商品。
而晶圆制作过程历经三百多个步骤,其中随便哪个步骤出现差错就能导致整片晶圆损毁或拉低良率。
间拿到消息。希望样机验收成功。”
类似情形和对话分别在欧美、日韩等国半导体龙头企业内部发生,他们也正在焦急等待海外华国个规模不大却令人不敢小觑科技公司最新消息。
不过他们和国内企业家愿望不同,他们在内心里不断发出恶狠狠诅咒,尤其欧美国家诅咒最美,但愿蓝河科技实验结果惨遭滑铁卢!
最好直滑铁卢,永远不会成功!
很可惜他们注定会失望。
粒肉眼看不见灰尘掉进正在制作中晶圆,它就会立即报废,所以光刻过程必须保证在恒温、无尘车间内工作。
“其余数据稳定!稳定!稳定!”
“13.5nmeuv样机,实验验收完毕!”
“验收通过!”
……
蓝河科技内,随着盛明安手势指挥,矗立众人跟前那台光刻机样机在漫长小时内完成它第次验收。
样机看不见内部,无数比头发丝还细激光穿过几十个精密镜头后,准确击中锡液滴靶,四处分散等离子体被收集,将掩膜版上图形信息透过缩图透镜完完整整复刻到下面晶圆,曝光晶圆。
个小时后,各小组汇报结果。
“完成光刻试验任务,没有异常。”
“小时内成功曝光160片晶圆,比目前已知asmleuvnex3400b机型每小时曝光125片晶圆吞吐量多达35片!套刻误差不超过2nm!”
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