20世纪60年代,IBM的罗伯特·丹纳德(RobertDennard)这样的工程师开始设想采用集成电路,它可以比小磁环更有效地“记忆”数据。丹纳德有一头长长的黑发,从耳朵下面垂下来,并以与地面平行的直角向外突出,这让他看起来像一个古怪的天才。他提出,将一个微型晶体管与一个电容器耦合起来。电容器是一种电荷存储器件,电容在充电时表示1,不充电时表示0。但随着时间的推移,电容器会泄漏,所以丹纳德设想通过晶体管反复给电容器充电。因此,该芯片被称为动态(由于重复充电)随机存取存储器或DRAM。这种结构构成了迄今为止计算机存储器的核心。
DRAM芯片的工作原理就像旧的磁芯存储器,借助电荷存储1和0。但是,DRAM电路没有依靠导线和环,而是制作在硅上。它们不需要手工编织,所以故障率低,而且可以做得更小。诺伊斯和摩尔打赌,他们的新公司英特尔可以利用丹纳德的洞察力,并将他的洞察力放在比磁芯密度更高的芯片上。我们只要看一眼摩尔定律的图表就知道,只要硅谷能够不断缩小晶体管,DRAM芯片就能征服计算机存储器业务。
英特尔计划主宰DRAM芯片业务。存储芯片不